- 模拟电子系统设计指南(基础篇):从半导体、分立元件到TI集成电路的分析与实现
- 何宾编著
- 110字
- 2025-02-20 22:35:45
2.4.1 耗尽区宽度
当反偏时,总的耗尽区或者空间电荷区的宽度W可表示为:

从式中可知,空间电荷区宽度W随着反向偏压VR的增加而增加。
最大场强εmax与宽度W的关系表示为:

从式中可知,最大电场εmax随着反偏电压VR而增加,随宽度W增加而减少。
当反偏时,总的耗尽区或者空间电荷区的宽度W可表示为:
从式中可知,空间电荷区宽度W随着反向偏压VR的增加而增加。
最大场强εmax与宽度W的关系表示为:
从式中可知,最大电场εmax随着反偏电压VR而增加,随宽度W增加而减少。